[더구루=정예린 기자] 삼성이 지난달 중국에서 대규모 특허권을 확보하며 차세대 산업 생태계 구축을 위한 기술 장벽을 높였다. 인공지능(AI) 반도체와 차세대 배터리 등 핵심 분야의 기술 포트폴리오를 강화, 글로벌 시장 주도권을 공고히 할 것으로 기대된다.

15일 중국 국가지적재산권국(CNIPA)에 따르면 CNIPA는 4월 한 달간 삼성전자, 삼성디스플레이, 삼성전기, 삼성SDI가 2019년부터 올해 초까지 출원한 특허 총 610건을 승인했다. 761건을 기록했던 2024년 4월 대비 약 19.8%, 전년 동월(613건) 대비 약 0.5% 소폭 감소한 수치다.

계열사별로는 삼성전자가 291건으로 가장 많은 특허를 인정받았다. 이어 △삼성디스플레이(146건) △삼성SDI(134건) △삼성전기(39건) 순이었다.

삼성전자는 '온디바이스 AI'와 '차세대 반도체' 기술력 제고에 집중했다. '대규모 언어 모델(LLM) 압축 방법 및 이를 실행하는 전자 장치(특허번호 CN121920450A)' 특허를 통해 기기 자체에서 고성능 AI 기능을 효율적으로 구동할 수 있는 기술을 확보했다. '낸드플래시 수명 연장 방법 및 시스템(특허번호 CN121900684A)'과 '적층형 트랜지스터를 포함하는 집적 회로 소자 및 제조 방법(특허번호 CN121793435A)' 등 메모리 반도체와 3D 반도체 공정 분야에서도 핵심 권리를 확보하며 초격차 기술을 공고히 했다.

신사업인 웨어러블 분야에서는 '사용자의 생체 정보를 감지하기 위한 웨어러블 장치(특허번호 CN121794644A)'와 '머리 장착형 디스플레이(HMD) 장치 및 제어 방법(특허번호 CN121844280A)' 등 헬스케어와 확장현실(XR) 시장을 겨냥한 기술들이 대거 포함됐다.

삼성디스플레이는 초고화질 디스플레이 소재와 공정 자동화 기술 확보가 두드러졌다. '퀀텀닷(QD) 및 이를 포함하는 전자 장치(특허번호 CN121930824A)'와 '유기 금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자(특허번호 CN121824622A)' 특허를 얻어 차세대 패널의 색 재현력과 효율을 높일 수 있게 됐다.

삼성SDI는 전고체 배터리 상용화의 핵심인 소재와 제조 공정 기술을 대거 확보했다. '아지로다이트(Argyrodite)형 황화물계 고체 전해질 및 전고체 이차전지(특허번호 CN121866665A)' 특허는 화재 위험이 적고 에너지 밀도가 높은 전고체 배터리 구현의 밑거름이 될 핵심 기술이다. 여기에 '건식 전극 제조 장치(특허번호 CN121885511A)'와 '전극 건조 설비 및 제어 방법(특허번호 CN121797582A)' 등을 확보하며 전극 공정 효율화를 통한 차세대 배터리 양산 준비에 박차를 가했다.

삼성전기는 고부가 부품 시장 공략을 위한 '다층 세라믹 커패시터(MLCC) 및 제조 방법(특허번호 CN121885407A)'과 '코일 전자 부품 및 제조 방법(특허번호 CN121885361A)' 기술을 인정받았다. 소형화와 고성능화를 동시에 구현하는 핵심 부품 기술력을 바탕으로 IT 및 전장용 부품 시장 지배력을 확대할 것으로 예상된다.