[단독] SK하이닉스, 日 JSR 'EUV 전용 포토레지스트' 공동 개발…D램 경쟁력 강화

D램 제조에 활용…생산성 향상 기대

 

[더구루=오소영 기자] SK하이닉스가 일본 JSR과 극자외선(EUV) 전용 포토레지스트(PR) 개발에 협업한다. D램 제조에 활용해 생산성을 높이고 글로벌 D램 시장에서 초격차 지위를 유지한다.

 

JSR은 "고급 D램 생산에 금속산화물 기반의 EUV PR '인프리아'를 활용하고자 SK와 협력을 가속화한다"라고 2일(현지시간) 밝혔다.

 

PR은 웨이퍼에 미세 회로 패턴을 새기는 과정에서 가이드 역할을 한다. 웨이퍼에 PR을 도포하고 자외선 등을 쬐면 회로 패턴이 형성된다. 광원의 종류에 따라 다른 PR이 쓰이는데 SK하이닉스가 JSR과 개발할 제품은 EUV 전용 PR이다.

 

JSR은 세계 최대 PR 회사로 삼성전자, 대만 TSMC, 미국 인텔 등과 거래해왔다. 작년 9월 금속산화물 기반 무기물 PR을 생산하는 미국 스타트업 인프리아를 인수했다. 무기물 PR은 기존 유기물 대비 빛 흡수율을 4배 이상 높여 미세한 패턴 구현에 유리하다. 동일한 조건에서 시간당 더 많은 웨이퍼를 처리할 수 있어 생산성 향상에도 기여한다.

 

SK하이닉스는 무기물 PR을 토대로 D램 사업의 경쟁력을 높인다. SK하이닉스는 EUV를 적극 도입하고 있다. 작년 7월 EUV 장비를 사용해 10나노급 4세대(1a) 8기가비트(Gbit) LPDDR4 모바일 D램 양산에 돌입했다. 이를 시작으로 향후 모든 1a D램 제품 생산에 EUV를 쓸 방침이다.

 

SK하이닉스 측은 "EUV 제조는 복잡하며 첨단 소재를 필요로 한다"라며 "금속산화물 기반 PR의 활용은 고성능과 생산 비용 절감을 모두 갖춘 차세대 D램 개발에 대한 (당사의) 약속을 보여준다"라고 밝혔다.







테크열전

더보기



여의屋

더보기