팹리스 반도체 회사 '캠브리지 GaN 디바이스', 250억 투자 유치

1900만 달러 시리즈B 투자 라운드 마감
다양한 질화갈륨 트랜지스터 대량 생산 추진

 

[더구루=정등용 기자] 팹리스 반도체 회사 캠브리지 GaN 디바이스(Cambridge GaN Devices, CGD)가 신규 자본 유치에 성공했다. CGD는 전력 애플리케이션을 위한 다양한 질화갈륨(GaN) 트랜지스터를 대량 생산한다는 계획이다.

 

CGD는 19일 파크워크 어드바이저와 BGF가 주도한 시리즈B 투자 라운드를 통해 1900만 달러(약 250억 원)의 자금을 조달했다고 발표했다.

 

이번 시리즈B 투자 라운드에는 △IQ 캐피털 △CIC △포어사이트 윌리엄스 테크놀로지 △마틀렛 캐피털이 참여했다.

 

CGD는 지난 2016년 캠브리지 대학교에서 분사한 팹리스 반도체 기업으로 질화갈륨 트랜지스터와 IC를 설계·개발해 상용화 하고 있다. CGD 제품은 에너지 효율과 소형화의 급격한 단계 변화를 가능하게 하며 대량 생산에 적합하다는 평가다.

 

CGD는 혁신적이고 사용하기 쉬운 전자 장비를 통해 효율적이고 지속 가능한 전력 솔루션을 제공한다. 현재 소비자 및 산업용 전원 공급 장치와 조명, 데이터 센터, 자동차 같은 산업군에서 CGD 제품이 도입 돼 활용되고 있다.

 

이번 투자 유치를 계기로 CGD는 전력 애플리케이션을 위한 다양한 질화갈륨 트랜지스터를 대량 생산할 수 있을 것으로 보고 있다. 더불어 신기술 개발과 신규 직원 채용에도 속도를 낸다는 계획이다.

 

조지아 롱고바르디 CGD 최고경영자(CEO)는 “우리는 가장 효율적이고 사용하기 쉬운 트랜지스터를 제공해 전력 전자 장치의 미래를 형성하는 임무를 수행해왔다”면서 “이제 대량 생산과 글로벌 공급으로 역량을 키워 업계에 가장 큰 영향력을 미칠 수 있게 돼 기쁘다”고 말했다.

 

한편, CGD는 현재 질화갈륨 기반 모듈을 개발하는 1000만 달러 규모의 유럽 자금 지원 프로젝트를 주도하고 있다. 최근에는 데이터 센터 방출을 줄이기 위해 안정적인 질화갈륨 전력 트랜지스터와 IC(ICeData)를 개발하는 프로젝트를 시작했다.










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