[단독] 삼성, 9월 中서 특허 737건 확보...전고체 배터리 상용화 준비 '순항'

2024.10.07 10:59:02

中 국가지적재산권국 허가…일 평균 92건 승인
동진쎄미켐·울산과기원 등과 공동 개발 특허 잇따라
삼성SDI, 건식전극공정·전고체배터리 특허 확보

 

[더구루=정예린 기자] 삼성전자와 삼성디스플레이, 삼성SDI 등이 삼성그룹 주요 계열사가 중국에서 700건이 넘는 대규모 특허를 승인받으며 글로벌 반도체·디스플레이·배터리 제조사로서 영향력을 확대하고 있다. 특히 파트너사 등과의 협력 성과가 두드러지며 미래 경쟁력을 함께 강화하는 모습이다. 전자 계열사들도 힘을 합쳐 '꿈의 배터리'로 평가 받는 전고체 배터리 상용화를 위한 준비 작업 또한 순항하고 있다.

 

7일 중국 국가지적재산권국(CNIPA)에 따르면 CNIPA는 지난달 삼성전자, 삼성디스플레이, 삼성SDI, 삼성전기 등이 2018년부터 올 7월까지 출원한 특허 738건을 승인했다. 직전 달(740건)과 근접한 수의 특허를 손에 넣었다. 승인 절차는 8일에 걸쳐 이뤄졌다.

 

삼성전자와 삼성디스플레이는 9월 각각 298건과 297건으로 유사한 수의 특허권을 인정받았다. 기존에는 삼성전자의 승인 특허 수가 압도적으로 많았었다. 이어 △삼성SDI(97개) △삼성전기(45개) △삼성생명(1개) 등이 특허를 확보했다. 일 평균 약 92건의 특허에 대한 허가를 확보한 셈이다. 

 

눈여겨 볼 점은 파트너사와의 협력을 통한 성과다. 반도체·디스플레이 분야에 대한 공동 개발을 진행, 특허 출원으로 이어졌다. 

 

삼성과 오랜 협력 관계를 자랑하는 동진쎄미켐은 삼성전자와 '신너 조성물 및 이를 이용한 기판 표면 처리 방법(특허번호 CN118689047A)'를, 삼성디스플레이와 '수지조성물, 디스플레이 장치 및 휴대용 전자기기(특허번호 CN118695647A)'라는 제목의 특허를 냈다. 

 

삼성디스플레이는 솔루스첨단소재와 '발광소자, 전자기기, 전자기기 및 헤테로고리화합물(특허번호 CN118632607A)' 제목의 특허도 확보했다.

 

울산과학기술원은 삼성전자와 '가상 메모리 관리 방법 및 전자 장치(특허번호 CN118689789A)', 삼성디스플레이와 '양자점 조성물 및 이를 이용하여 제조한 발광소자 및 전자소자(특허번호 CN118685175A)'라는 제목에 대한 특허의 당국 승인을 얻었다. 

 

삼성SDI가 출원한 특허 중에서는 건식전극공정 관련 기술이 눈에 띄었다. '건식전극의 제조방법 및 건식전극을 포함하는 리튬전지(특허번호 CN118712325A)’를 포함해 총 3건의 건식전극공정 특허를 승인 받았다. 삼성SDI가 최근 6개월 내 중국에서 건식전극공정 특허를 받은 것은 지난달이 유일하다. 

 

건식전극공정은 테슬라가 지난 2020년 배터리데이에서 처음 선보이며 주목을 받았다. 배터리 생산 과정에서 기존 액체 화학 물질 대신 고체 파우더금속 극판에 코팅하는 새로운 방식이다. 빠르게 대규모 양산이 가능하고 비용을 절감할 수 있는 것이 장점이다. 습식 공정은 추후 건조하기 위해 초대형 기계가 필요한 반면 건식 공정은 해당 장비가 필요없어 제조 시설 공간을 효율적으로 이용 가능하다. 삼성SDI는 최근 충남 천안에 '드라이 EV'라는 이름의 국내 최초 건식 공정 파일럿 라인을 구축하고 시험 생산을 시작했다.

 

전고체 배터리 상용화를 위한 준비도 이어지고 있는 모습이다. 지난달 삼성SDI는 일본 아사히카본과 공동으로 '이차전지용 음극재, 이차전지용 음극층, 고체 이차전지 및 그 충전방법(특허번호 CN118591902A)'을, 독자적으로 황화물계 고체 전해질에 대한 ‘전고체 이차전지(특허번호 CN118712461A)’를 확보했다.

 

삼성전자와 삼성전기도 각각 '고체 전해질, 고체 전해질의 제조방법 및 고체 전해질을 포함하는 리튬전지(특허번호 CN118693335A)'와 '리튬이온 전도체 및 리튬이온 전도체를 포함한 전고체전지(특허번호 CN118661302A)'에 대한 특허권을 받았다. 

정예린 기자 yljung@theguru.co.kr
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