[더구루=김은비 기자] 중국 연구진이 세계에서 가장 빠른 비휘발성 메모리 소자를 개발했습니다. 이 소자는 1비트 데이터를 400피코초 만에 기록할 수 있는 데요. 400피코초는 기존 휘발성 메모리보다도 빠른 속도로, 현재까지 보고된 메모리 중 가장 빠른 데이터 쓰기 성능입니다. 미중 갈등 속 반도체 기술 패권 경쟁이 격화되는 가운데, 이번 성과가 중국의 반도체 자립 전략에 힘을 실어줄 돌파구가 될 수 있을지 주목됩니다. 자세한 내용은 더구루 홈페이지에서 만나보실 수 있습니다.
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中, '피코초' 수준 세계 최초 초고속 비휘발성 메모리 소자 개발
