[더구루=정예린 기자] SK실트론이 영국 반도체 소재 회사 'IQE'와 손잡고 질화갈륨(GaN) 전력반도체 개발에 나선다. 양사의 웨이퍼와 기판 제조 기술을 적극 발휘해 고성장이 예상되는 차세대 반도체 시장을 공략한다. 

11일 IQE에 따르면 SK실트론과 IQE는 지난 6일 경북 구미 SK실트론 사업장에서 GaN 전력 반도체 개발·상용화를 위한 전략적 협력 계약을 체결했다. 아시아 시장을 중심으로 공동 사업을 펼칠 예정이다. 

양사는 SK실트론의 웨이퍼 전문성과 IQE의 에피택시(epitaxy) 공정 기술력을 활용, 실리콘카바이드(SiC)와 GaN 등 차세대 화합물반도체를 기반으로 한 전력반도체를 개발한다는 목표다. 우선 5G 보급 확대로 수요가 늘어날 것으로 기대되는 무선통신용 SiC·GaN 기반 칩 개발을 시작으로 향후 자동차, 소비자향 GaN-on-Silicon(질화갈륨-온-실리콘) 칩까지 파트너십을 점차 확대한다. 

GaN 전력반도체는 기존 실리콘 반도체에 비해 열에 강해 고전압에서 잘 버틴다. 전력모듈에 필요한 냉각장치를 최소화할 수 있어 시스템의 소형화·경량화를 가능케 한다. 전력을 75% 덜 소비해 높은 효율을 자랑하며 성능도 우수하다. 스마트폰 고속충전기와 5G, 가전, 전기차 등에 활용되며 시장이 급성장하고 있다. 

시장조사업체 욜디벨롭먼트는 GaN 전력반도체 시장이 매년 70%씩 성장할 것으로 예상했다. 지난해 4600만 달러에서 오는 2026년 11억 달러 규모로 확대될 전망이다. 

아메리카 레몬 IQE 최고경영자(CEO)는 "양사 제품과 기술력에는 엄청난 시너지 효과가 있으며, 우리는 이를 활용해 혁신적인 솔루션을 시장에 선보일 것"이라며 "IQE가 아시아에서의 사업 확장을 중점적으로 추진하고 있는 가운데 첨단 소재 분야에서 세계적으로 인정받는 리더와 협력하게 돼 기쁘다"고 밝혔다.

장용호 SK실트론 대표는 "첨단소재 분야의 세계적인 두 리더가 GaN 소재와 관련된 흥미진진한 성장 시장을 위해 제품을 공동 개발하기 위해 협력한다"며 "IQE와의 협력을 통해 상당한 성공을 거두고 광범위한 반도체 재료를 다루는 이 관계를 향후 더 발전시키길 기대한다"고 전했다.