[더구루=정예린 기자] 삼성전자가 4분기 메모리 반도체 가격 인상에 나선다. 업황 개선 시그널이 곳곳에서 감지되는 가운데 수요와 가격 반등에 힘입어 흑자 전환에 성공할 수 있을지 주목된다. 

20일 반도체 전문지 'EE타임스 차이나'에 따르면 삼성전자는 최근 일부 고객사에 4분기 D램과 낸드플래시 가격 인상안을 통보했다. D램은 전분기 대비 약 11~25%, 낸드는 약 2% 상향 조정했다. 

고객사별로 각기 다른 가격이 책정되는 만큼 EE타임스가 확보한 가격 인상안도 일부 고객사에만 해당된다. 하지만 내부적으로 메모리 반도체 판매가 인상 방침 기조를 세운 것으로 파악되며 다른 고객사까지 도미노 가격 상승이 예상된다. 

세부 내역을 살펴봤을 때 D램에서 가장 많은 증가세를 나타낸 제품은 차세대 모바일 D램으로 여겨지는 LPDDR5와 LPDDR5x였다. 8GB부터 16GB까지 용량별 전 모델 가격이 고르게 20~25% 뛰었다. LPDDR4x D램도 10%대의 가격 인상폭을 보였다. 

D램 대비 시황 개선 속도가 느린 낸드 제품 가격은 소폭 증가에 그쳤다. 모바일용 낸드인 범용플래시저장장치(UFS) 가격은 UFS 4.0 기준 평균 2% 인상됐다. UFS 2.2와 UFS 3.1 등 일부 모델은 가격이 약 10% 하락하기도 했다. 

모바일 D램과 낸드를 한 패키지로 만든 'eMCP'와 'uMCP'의 가격이 강세를 보였다. 평균 20%의 인상율을 기록했다. 일부 제품의 경우 직전 분기 대비 가격이 약 67% 상승했다. 

업계에서는 4분기 메모리 반도체의 전통적인 성수기와 고객사 재고 정상화 시점이 맞물리면서 삼성전자가 가격 인상을 결정한 것으로 분석하고 있다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 반도체 업체들의 감산 효과도 반영됐다는 설명이다. 

실제 올 한해 부진했던 메모리 반도체 사업은 반등 움직임을 보이고 있다. 삼성전자는 지난 3분기 D램과 낸드 평균판매단가(ASP)도 전 분기 대비 상승세로 돌아섰다고 발표했다. △HBM(고대역폭메모리) △DDR5 △LPDDR5x 등 고부가 제품 판매 확대 영향이 컸던 것으로 전해진다. 재고자산도 지난 2분기 말 55조5048억원에서 3분기 말 55조2560억원으로 0.4% 감소했다. 

삼성전자도 올 4분기를 시작으로 내년까지 메모리 반도체 업황이 점진적으로 개선될 것이라고 내다보고 있다. 다만 생산 운영 계획과 관련해서는 당분간 보수적인 기조를 유지한다는 방침이다. 성숙 공정 낸드를 중심으로 감산 규모를 확대하되 첨단 공정 제품 생산 역량 확보에 주력한다. 

김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 지난달 열린 올 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "감산과 수요 개선으로 반도체 재고 수준은 5월 피크아웃(정점 후 하락)을 지났고 4분기엔 재고 수준이 더욱 감소할 것"이라며 "탄력적인 생산 운영과 생산 회복에 맞물려 D램과 낸드 모두 재고가 감소 중이고 더욱 빠른 속도로 재고가 감소할 걸로 전망한다"고 밝혔었다.