[더구루=정예린 기자] SK그룹이 지난달 중국에서 반도체·배터리·스토리지·통신 인프라 전반에 걸친 특허를 승인받았다. 반도체·배터리·통신 인프라 등 주력 사업에서 기술 장벽을 높이고, 중국 내 생산·사업 전개 과정에서 공정 신뢰성과 운영 효율을 함께 끌어올리는 기반을 마련할 것으로 기대된다.

11일 중국 국가지식산권국(CNIPA)에 따르면 CNIPA는 SK그룹 계열사가 출원한 특허 89건을 승인했다. 이는 작년 1월 승인 건수(105건) 대비 약 15.2%(16건) 감소한 수치다.

계열사별로는 SK하이닉스가 45건으로 가장 많았다. △SK온(24건) △SK텔레콤(10건) △SK이노베이션(5건) △솔리다임(5건) △SK케미칼(1건) 등이 뒤를 이었다.

SK하이닉스는 반도체 미세 공정용 핵심 소재 분야에서 계열사와 공동 개발한 특허가 승인됐다. SK에코플랜트의 반도체 소재 자회사인 SK트리켐과 공동 출원한 '저유전율 실리콘 함유 박막을 형성하기 위한 전구체 및 이를 이용한 박막 형성 방법(특허번호 CN121285651A)'은 미세 배선 공정에서 신호 지연과 간섭을 줄이기 위한 소재·공정 기술로, 고집적 메모리 공정의 수율·신뢰성과 맞닿아 있다.

메모리 소자 구조와 제어 기술을 다룬 단독 특허도 포함됐다. '전력 분배층을 갖는 반도체 소자(특허번호 CN121310999A)'는 고집적 메모리 환경에서 전력 전달 경로를 안정화하는 구조 기술이다. '매핑 데이터를 효율적으로 관리하는 데이터 저장 장치 및 그 동작 방법(특허번호 CN121433566A)'은 대용량 메모리 환경에서 주소 변환·관리 부담을 줄이기 위한 제어 기술로, 시스템 운용 신뢰성과 연결된다.

솔리다임은 데이터센터 환경에서 SSD 제어·펌웨어 관련 특허가 승인됐다. '다중 쓰기 스트림을 이용해 개별 읽기 간섭 이벤트에서 최적의 데이터 재배치를 결정하는 시스템 및 방법(특허번호 CN121336197A)'은 읽기 간섭이 발생하는 환경에서 데이터 재배치 전략을 개선하는 기술이다. '캐시 힌트 최적화를 위한 LRU 메모리의 펌웨어 관리(특허번호 CN121285791A)'는 캐시 운용 구조를 손질해 엔터프라이즈 SSD 성능 저하를 줄이기 위한 제어 기술이다.

SK온은 전지 성능과 제조 공정 안정성을 동시에 겨냥한 특허를 확보했다. SK이노베이션과 공동 출원한 '비수계 전해액 및 이를 포함하는 리튬 이차전지(특허번호 CN121311988A)'는 전해질 조성 개선을 통해 충·방전 특성과 안정성을 개선하는 기술이다. SK지오센트릭과는 '장기간 접착력을 유지하는 에틸렌-아크릴산 공중합체 및 그 제조 방법(특허번호 CN121362277A)'을 확보, 전극과 분리막 간 결합 안정성을 높이기 위한 소재 기술을 손에 넣었다. 

SK이노베이션은 배터리 핵심 소재와 에너지·환경 공정 기술 특허가 승인됐다. SK지오센트릭과 공동 출원한 '생분해성 폴리에스터 수지 및 그 제조 방법(특허번호 CN121358790A)'은 친환경 고분자 소재 개발과 맞닿아 있다. '이산화탄소 흡수제 및 이를 이용한 이산화탄소 분리 방법(특허번호 CN121282570A)'과 '복합 분리막 및 이를 포함하는 이차전지(특허번호 CN121282569A)'는 각각 탄소 포집·분리 공정과 배터리 안전 소재 기술에 해당한다.

SK텔레콤은 통신 네트워크 운용 기술과 함께 에너지저장장치(ESS) 충·방전 제어 특허를 승인받았다. '강화학습 기반 에너지저장시스템 충·방전 개선 방법 및 이를 지원하는 전력 제어 장치(특허번호 CN121285918A)'와 '제약 조건을 고려한 강화학습 기반 에너지저장시스템 충·방전 방법 및 이를 지원하는 전력 제어 장치(특허번호 CN121285917A)'는 통신 기지국·데이터센터 등 대규모 전력 소비 인프라에서 전력 운영 효율을 높이기 위한 기술을 담고 있다.