'HBM 대체 가능' 네오세미 3D X-D램, 개념 검증 단계 달성

2026.04.27 10:54:28

시뮬레이션 넘어 물리적 검증 착수… 내년 초기 샘플 공개
모놀리식 적층으로 단가 절감… 512Gb 초고밀도 구현 '승부수'

[더구루=정예린 기자] 미국 '네오세미컨덕터'가 고대역폭메모리(HBM)의 대항마로 내세운 '3D X-D램(3D X-DRAM)' 기술이 상용화 궤도에 올랐다. D램의 물리적 한계를 극복하고 제조 원가를 획기적으로 낮출 수 있는 새로운 방식이 검증 단계에 진입, 글로벌 인공지능(AI) 반도체 공급 구조 재편 가능성에 관심이 쏠린다.

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정예린 기자 yljung@theguru.co.kr
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