[더구루=김은비 기자] IBM과 도쿄일렉트론(TEL)이 차세대 반도체 기술 공동 개발을 위해 맞손을 잡았다. 생성형 인공지능(AI) 시장이 급속도로 발전하는 가운데 이에 대응할 수 있는 새로운 반도체 아키텍처 개발에 속도를 내기위해 힘을 합친다.
8일 IBM에 따르면 IBM과 TEL은 공동 연구개발(R&D) 협약을 5년 연장하기로 합의했다. 양사는 지난 2003년부터 20년 이상 전략적 기술 협력 관계를 이어온 바 있다.
양사는 뉴욕주 올버니에 위치한 ‘IBM 나노테크 콤플렉스’에서 연구를 진행한다. IBM 나노테크 콤플렉스는 미국 최초 국가 반도체 기술센터(NSTC)로 지정된 연구시설로, 극자외선(EUV) 가속기를 갖춘 글로벌 반도체 연구 거점으로 꼽힌다.
양사는 IBM 반도체 공정 전문성과 TEL 첨단 장비 기술력을 결합, 보다 미세한 반도체 노드와 칩렛 기반 아키텍처 개발에 박차를 가할 계획이다.
양사는 특히 생성형 AI 시장에 주목, 이 산업에 특화된 고성능·고효율 칩 설계를 목표로 하고 있다.
글로벌 시장조사업체 포춘비즈니스인사이트에 따르면 생성형 AI 시장은 지난 2023년 44억 달러(약 6조5천억 원) 규모에서 2032년 9676억 달러(약 1425조 원)로 급성장할 전망이다. 연평균 성장률은 39.6%에 달한다.
양사는 지난 20년간 협력을 바탕으로 높은 연구 성과를 이뤄왔다. 지난 2022년에는 300㎜ 실리콘 웨이퍼에 3D 적층 기술을 적용할 수 있는 공정을 세계 최초로 개발한 바 있다. 3D 적층 기술은 칩을 수평이 아닌 수직 방향으로 쌓아 올리는 방식으로, 동일 면적에서 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있어 성능 향상과 전력 효율 개선을 동시에 실현할 수 있다.
무케시 카레(Mukesh Khare) IBM 반도체 총괄 겸 하이브리드 클라우드 부사장은 “IBM과 TEL은 수십 년간 협업을 통해 반도체 성능과 에너지 효율을 개선해 왔다”며 “생성형 AI 시대에 요구되는 칩 혁신을 가속할 수 있게 돼 기대가 크다”고 말했다.
