중국, '세계 최소' 강유전체 트랜지스터 구현…삼성전자·SK하이닉스 바짝 추격

1나노 게이트·0.6V 구동…로직-메모리 전압 장벽 허문 FeFET 구조 제시
대중국 규제 속 '기초 소자'로 우회…中, 강유전체 트랜지스터 경쟁 본격 가세

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