[더구루=오소영 기자] 미국 인텔이 영국 반도체 설계업체 ARM과 스타트업 지원에 힘을 합친다. 인텔의 파운드리와 ARM의 설계자산(IP)을 활용해 시스템통합칩(SoC)을 제작하도록 지원한다. 인공지능(AI) 붐으로 인한 반도체 시장의 호황을 스타트업과 함께 누리고 혁신을 가속화한다. [유료기사코드] 28일 인텔에 따르면 이 회사는 ARM과 '신규 비즈니스 이니셔티브(Emerging Business Initiative)' 협력을 위한 업무협약(MOU)을 체결했다. 양사의 이니셔티브는 스타트업의 성장을 촉진하고자 필수적인 IP와 제조·금융 지원을 제공하는 것을 골자로 한다. 작년 4월 체결된 인텔과 AMR의 파트너십에 따라 제정됐다. 당시 양사는 ARM의 아키텍처를 활용하는 고객사가 차세대 SoC를 1.8나노급(㎚·10억분의 1m)인 인텔 18A 공정에서 생산하도록 지원하기로 했었다. 인텔은 내년 18A 공정을 상용화할 계획이다. 인텔과 ARM은 새 이니셔티브를 통해 스타트업의 칩 개발·생산 기간을 단축하고 빠른 성장을 돕는다. AI 기술이 널리 활용되며 대용량의 데이터를 신속히 처리할 칩의 수요는 증가하고 있다. 삼일PwC에 따르면 AI 반도체 시장은 202
[더구루=오소영 기자] 미국 반도체 업체 엔비디아의 영국 반도체 설계회사 ARM 인수가 난항을 거듭하고 있다. 나딘 도리스 영국 문화부 장관이 규제 당국에 심층 조사를 지시할 것으로 알려지며 승인이 늦어져서다. 15일 업계에 따르면 도리스 장관은 영국 경쟁시장청(CMA)에 엔비디아의 ARM 인수와 관련 2단계 심층 조사를 명령할 것으로 예상된다. 영국은 일찍이 엔비디아의 ARM 인수에 우려를 표명해왔다. 영국 보수당과 노동당 의원들은 영국 내 일자리 축소와 엔비디아의 시장 독점을 지적하며 반대 목소리를 냈다. 보리스 존슨 영국 총리가 인수에 제동을 걸어야 한다고 압박했다. 정치권의 반발 속에 CMA는 올해 7월 올리버 다우든 전 문화부 장관에게 엔비다의 ARM 인수가 국가 안보를 해칠 수 있다는 내용의 보고서를 전달했다. 보고서를 받은 영국 정부는 승인 거부로 기울었다는 추측이 나왔었다. 영국은 반도체 확보를 국가 안보의 중요한 문제로 다루고 있다. 영국 정부는 중국 윙테크 테크놀로지가 소유한 넥스페리아의 영국 최대 반도체 사업체 뉴포트 웨이퍼 팹(NWF) 매각에도 전면 조사를 주문하며 신중을 기했다. 반도체 공급망을 사수하는 데 적극 나서고 있어 엔비디아
[더구루=김명은 기자] 일본 담배회사 JTI(Japan Tobacco International)가 대규모 투자를 통해 루마니아에 신규 공장을 건설한다. 기존 시설을 대체해 최첨단 기술과 대규모 생산 능력을 갖춘 공장을 신설함으로써 루마니아를 글로벌 공급망에서 더욱 중요한 위치로 격상시키겠다는 전략으로 풀이된다. [유료기사코드] 9일 업계에 따르면 JTI는 루마니아 수도 부쿠레슈티 외곽에 약 7000만 유로(약 1130억원)를 투자해 첨단 생산시설을 건설할 계획이다. 현재는 앞서 지난 1994년 세워진 파이페라 공장에서 제품을 생산하고 있지만 노후화된 기존 공장을 대체해 신기술과 대형 설비를 갖춘 새로운 공장으로 이전한다는 계획이다. 이번 프로젝트는 JTI의 루마니아 내 사업 확장 전략의 일환으로, 현재보다 생산능력을 3배 이상 확대하고 글로벌 수출 역량을 강화한다는 목표다. 신설 공장은 부쿠레슈티 인근의 슈테퍼네슈티 데 조스에 위치할 예정이며, 루마니아의 주요 고속도로인 A0와 A3 교차점 인근에 자리잡는다. 총 면적은 약 6만㎡로, 기존 파이페라 공장의 3배 규모다. 생산, 포장, 원자재 저장, 완제품 창고, 기술 장비 구역 등으로 구성되는 18.3헥타르
[더구루=홍성일 기자] 미국 노스이스턴대학교 연구팀이 스마트폰과 PC의 성능을 '1000배' 끌어올릴 기술을 개발했다. 발전이 정체되고 있는 반도체 기술에 새로운 패러다임을 제시할 수 있을 것이라는 평가가 나온다. [유료기사코드] 9일 업계에 따르면 노스이스턴대학교 연구팀은 양자 물질의 전자 상태를 자유자재로 제어하는데 성공했다. 이번 연구 결과는 국제 학술지 '네이처 피직스(Nature Physics)'에 게재됐다. 공개된 자료에 따르면 연구팀은 이황화탄탈럼(1T-TaS2)이라는 양자물질을 이용해 연구를 진행했다. 이황화탄탈럼은 상온에서는 전기가 잘 흐르는 도체이지만, 200K(켈빈, 섭씨 -73.15도) 이하의 극저온에서는 매우 짧은 시간동안 부도체가 되는 금속이다. 연구팀은 빛을 이용한 열 소멸(thermal quenching)이라는 기법을 이용해 이황화탄탈럼을 상온에 가까운 210K(섭씨 영하 63도)에서 부도체로 만드는데 성공했다. 또한 수개월간 상태를 안정적으로 유지하기까지 했다. 연구팀은 빛을 이용해 이황화탄탈럼의 상태를 자유롭게 제어할 수 있게되면서 매우 빠른 속도로 상전이가 가능해졌다고 소개했다. 즉 도체와 부도체 상태를 자유자재로 만들 수