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[단독] SK실트론, GaN 전력반도체 개발 추진…英 웨이퍼 제조사 'IQE' 지원사격

[더구루=정예린 기자] SK실트론이 영국 반도체 소재 회사 'IQE'와 손잡고 질화갈륨(GaN) 전력반도체 개발에 나선다. 양사의 웨이퍼와 기판 제조 기술을 적극 발휘해 고성장이 예상되는 차세대 반도체 시장을 공략한다. 11일 IQE에 따르면 SK실트론과 IQE는 지난 6일 경북 구미 SK실트론 사업장에서 GaN 전력 반도체 개발·상용화를 위한 전략적 협력 계약을 체결했다. 아시아 시장을 중심으로 공동 사업을 펼칠 예정이다. 양사는 SK실트론의 웨이퍼 전문성과 IQE의 에피택시(epitaxy) 공정 기술력을 활용, 실리콘카바이드(SiC)와 GaN 등 차세대 화합물반도체를 기반으로 한 전력반도체를 개발한다는 목표다. 우선 5G 보급 확대로 수요가 늘어날 것으로 기대되는 무선통신용 SiC·GaN 기반 칩 개발을 시작으로 향후 자동차, 소비자향 GaN-on-Silicon(질화갈륨-온-실리콘) 칩까지 파트너십을 점차 확대한다. GaN 전력반도체는 기존 실리콘 반도체에 비해 열에 강해 고전압에서 잘 버틴다. 전력모듈에 필요한 냉각장치를 최소화할 수 있어 시스템의 소형화·경량화를 가능케 한다. 전력을 75% 덜 소비해 높은 효율을 자랑하며 성능도 우수하다. 스마트폰 고
- 정예린 기자
- 2022-10-11 08:29
글로벌파운드리, 영국 웨이퍼 제조사 'IQE' 맞손

[더구루=정예린 기자] 미국 글로벌파운드리가 영국 웨이퍼 생산업체 'IQE'와 손잡고 무선통신용 질화갈륨(GaN) 전력반도체 공정 상용화에 나선다. 5G 보급 확대로 고성장이 예상되는 차세대 반도체 시장을 공략한다. 25일 업계에 따르면 IQE는 최근 글로벌파운드리와 GaN-on-Silicon(질화갈륨-온-실리콘) 기술 개발을 위한 전략적 파트너십을 체결했다고 발표했다. 글로벌파운드리와 IQE는 모바일·무선 인프라 애플리케이션용 칩 기술 개발에 협력한다. IQE의 웨이퍼를 사용해 글로벌파운드리의 미국 버몬트주 벌링턴 소재 공장 팹9에서 생산한다. 양사는 GaN 전력반도체가 초고주파(mmWave)를 포함한 미래 5G 시스템의 핵심이 될 것으로 보고 있다. 이번 협력을 통해 현재와 미래 무선통신 반도체 시장에서 경쟁력을 끌어 올린다는 목표다. GaN 전력반도체는 기존 실리콘 반도체에 비해 열에 강해 고전압에서 잘 버틴다. 전력모듈에 필요한 냉각장치를 최소화할 수 있어 시스템의 소형화·경량화를 가능케 한다. 전력을 75% 덜 소비해 높은 효율을 자랑하며 성능도 우수하다. 스마트폰 고속충전기와 5G, 가전, 전기차 등에 활용되며 시장이 급성장하고 있다. 시장조사업체
- 정예린 기자
- 2021-10-25 15:43

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