[더구루=정예린 기자] 미국 글로벌파운드리가 영국 웨이퍼 생산업체 'IQE'와 손잡고 무선통신용 질화갈륨(GaN) 전력반도체 공정 상용화에 나선다. 5G 보급 확대로 고성장이 예상되는 차세대 반도체 시장을 공략한다.
25일 업계에 따르면 IQE는 최근 글로벌파운드리와 GaN-on-Silicon(질화갈륨-온-실리콘) 기술 개발을 위한 전략적 파트너십을 체결했다고 발표했다.
글로벌파운드리와 IQE는 모바일·무선 인프라 애플리케이션용 칩 기술 개발에 협력한다. IQE의 웨이퍼를 사용해 글로벌파운드리의 미국 버몬트주 벌링턴 소재 공장 팹9에서 생산한다.
양사는 GaN 전력반도체가 초고주파(mmWave)를 포함한 미래 5G 시스템의 핵심이 될 것으로 보고 있다. 이번 협력을 통해 현재와 미래 무선통신 반도체 시장에서 경쟁력을 끌어 올린다는 목표다.
GaN 전력반도체는 기존 실리콘 반도체에 비해 열에 강해 고전압에서 잘 버틴다. 전력모듈에 필요한 냉각장치를 최소화할 수 있어 시스템의 소형화·경량화를 가능케 한다. 전력을 75% 덜 소비해 높은 효율을 자랑하며 성능도 우수하다. 스마트폰 고속충전기와 5G, 가전, 전기차 등에 활용되며 시장이 급성장하고 있다.
시장조사업체 욜디벨롭먼트는 GaN 전력반도체 시장이 매년 70%씩 성장할 것으로 예상했다. 지난해 4600만 달러에서 오는 2026년 11억 달러 규모로 확대될 전망이다.
바미 바스타니 글로벌파운드리 모바일·무선 인프라부문 총괄 책임자는 "글로벌파운드리는 IQE와의 협력을 통해 차세대 연결과 사용자 경험을 가능하게 하는 차별화된 GaN-on-Silicon 솔루션을 제공해 고객의 혁신을 도울 것"이라며 "앞으로도 5G를 위한 혁신적인 솔루션 시장을 계속 주도해 나갈 것"이라고 전했다.
