[단독] SK하이닉스, 꿈의 반도체 'F램' 기술 확보…독일 메모리 스타트업 베팅

페로일렉트릭 메모리에 투자…보쉬 등 참여
HfO2 활용 F램 기술 개발

 

[더구루=오소영 기자] SK하이닉스가 독일 강유전체 반도체(F램) 회사에 투자했다. 빠르고 저전력을 특징으로 한 비휘발성 메모리 기술을 확보하고 초격차 전략을 강화한다.

 

17일(현지시간) 페로일렉트릭 메모리(Ferroelectric Memory GmbH·이하 FMC)는 "SK하이닉스와 로버트보쉬벤처캐피털(Robert Bosch Venture Capital GmbH) 등으로부터 2000만 달러(약 221억원)를 조달했다"고 밝혔다.

 

머크의 벤처 투자 펀드 엠벤처(MVentures), 루뱅가톨릭대학가 조성한 아이멕닷스팬드(imec.xpand), 텔벤처캐피탈(TEL Venture Capital) 등도 참여했다. 회사별 투자액은 공개되지 않았다. FMC는 2008년 파산한 독일 반도체 회사 키몬드 출신들이 2016년 설립한 회사다. 하프늄 산화막(HfO2)을 활용한 F램 기술을 보유했다.

 

F램은 전기가 없어도 데이터가 사라지지 않고 반영구적으로 저장할 수 있는 메모리다. 구조가 단순해 집적하기 쉬워 D램이나 낸드플래시를 대체할 제품으로 꼽힌다. 삼성전자를 비롯해 다양한 회사들이 연구했지만 재료와 집적도 등에서 난제가 많아 상용화에 어려움을 겪었다.

 

FMC는 조달 자금을 F램 연구에 투입한다. 독일을 넘어 미국과 아시아 등 해외로 사업을 확장할 계획이다.

 

SK하이닉스는 이번 투자로 F램 기술을 확보하고 메모리 반도체 시장에서 경쟁력을 강화할 것으로 기대된다. F램은 특히 사물인터넷(IoT) 시대에 주목받는 기술이다. 다양한 센서를 통해 방대한 데이터를 수집해야 하므로 저전력 반도체는 각광을 받고 있다.

 

F램은 비휘발성 메모리 이이피롬(EEPROM)과 비교했을 때 전력 소비량이 100배 낮다. 속도와 내구성 또한 앞선다. 64Kb 용량의 데이터를 다시쓰기 할 때 이이피롬 대비 속도는 780배 빠르고 전력 소비량은 100배 낮다. 1초간 100회 데이터를 다시 쓴다고 가정할 때 이이피롬이 3시간 버틸 수 있다면 F램의 수명의 325년이다. 이러한 강점을 바탕으로 자동차와 헬스케어 등 다양한 분야에서 활용될 것으로 보인다.

 




테크열전

더보기



부럽땅

더보기