[더구루=홍성환 기자] 미국 질화갈륨(GaN) 반도체 기업 나비타스 세미컨덕터(Navitas Semiconductor)가 세계 최초로 10분이면 100% 충전이 가능한 240W급 초고속 휴대전화 충전기를 선보였다.
나비타스는 최근 출시된 리얼미 GT3 스마트폰과 함께 제공되는 240W 초고속 충전기에 자사 차세대 GaN 전력 칩이 채택됐다고 5일 밝혔다.
올해 모바일월드콩그레스(MWC)에서 공개한 리얼미 GT3는 240W급 충전 기능을 제공하는 세계 최초 스마트폰이다. 4600㎃H(메가암페어시) 배터리 잔량이 0%일 대 9분30초만에 100% 완충할 수 있다. 30초 급속 충전을 사용하면 2시간 동안 통화가 가능하다.
나비타스는 2014년 설립된 GaN 전력 반도체 전문 기업이다. LG전자, 아마존, 샤오미, 오포, 델, 레노보, 벨킨 등 주요 OEM의 고속충전기에 자체 개발 GaN 전력 칩인 'GaNFast'를 공급한다.
GaN 반도체는 기존 실리콘 반도체에 비해 열에 강해 고전압에서 내구성이 높은 것이 특징이다. 전력모듈에 필요한 냉각장치를 최소화할 수 있어 시스템의 소형화·경량화를 가능하게 한다. 전력을 75% 덜 소비해 높은 효율을 자랑하며 고속 충전 성능도 우수하다.
스마트폰 고속충전기와 5G, 가전, 전기차 등에 활용되며 GaN 반도체 시장이 급성장하고 있다. 시장조사기관 마켓앤마켓에 따르면 GaN 반도체 시장 규모는 지난해 194억 달러에서 2026년 249억 달러로 연평균 5.2% 성장할 전망이다. 특히 중국의 디지털화와 5G 인프라 개발 등에 힘입어 아시아·태평양 지역 시장 점유율이 크게 늘어날 것으로 관측된다.
