[영상] '위비트 나노 Re램 장착' DB하이텍 130나노 BCD 공정서 테이프아웃 성공

 

[더구루=진유진 기자] DB하이텍이 위비트 나노(Weebit Nano)의 Re램(저항성메모리) 기술이 적용된 130나노 BCD(바이폴라-CMOS-DMOS) 공정에서 첫 시제품 생산에 성공했습니다. 1일 업계에 따르면 위비트 나노는 지난달 30일 자사 Re램 기술이 적용된 DB하이텍의 130나노 BCD 공정에서 대량 양산 준비의 마지막 단계인 첫 테이프아웃(Tape-Out·시제품 양산)에 성공했다고 밝혔습니다. 양사는 기술 검증과 생산 준비 과정 등을 마치고 내년 2분기까지 양산을 시작한다는 계획입니다. 자세한 내용은 더구루 홈페이지에서 만나보실 수 있습니다.


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[단독] DB하이텍, '위비트 나노 Re램 적용' 130나노 BCD 공정서 시제품 생산 성공










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