[더구루=오소영 기자] SK하이닉스가 인공지능(AI)향 수요에 힘입어 고대역폭 메모리(HBM) 매출이 연간 300% 성장할 것으로 예상했다. 3분기 양산에 돌입한 HBM3E 12단은 내년부터 수요가 본격 발생한다. 내년 상반기 출하량이 HBM3E 8단을 웃돌 전망이다. SK하이닉스는 고객사 수요에 대응해 선제적으로 제품 양산에 나서면서 선두 지위를 굳힌다.
SK하이닉스는 25일 2분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 "올해 2분기 HBM 매출이 전분기보다 80% 이상, 전년 동기 대비 250% 이상 증가했다"고 밝혔다. AI향 메모리 제품 수요가 높은 영향이다.
올해는 300% 성장이 예상된다. SK하이닉스는 "내년 생산능력 대부분이 고객과 협의가 완료됐다"며 "HBM 출하량은 올해 대비 2배 이상 성장할 것으로 기대한다"고 부연했다.
제품별로 보면 올해 2분기 HBM3E 출하가 크게 확대됐다. 3분기 출하량은 HBM3를 넘어서 올해 HBM3E 비중이 절반 이상일 것으로 예상된다.
SK하이닉스는 지난 3월부터 메모리 업체 최초로 HBM3E 8단 제품을 엔비디아에 납품했다. 후속 제품인 HBM3E 12단도 진행 중이다. 이미 시제품을 고객사에 넘겼고 3분기 양산해 4분기부터 고객사에 공급한다.
SK하이닉스는 "12단 제품 수요는 내년부터 본격적으로 늘어나 상반기 중 12단 제품의 공급량이 8단을 넘어설 것으로 보고 있다"고 말했다. 이어 "8단에 비해 12단 제품의 기술 난도가 높긴 하지만, (SK하이닉스는) 이미 HBM3 12단 제품 양산 경험이 있다"며 "HBM3E 8단 제품을 성공적으로 개발했고, 램프업(Ramp-up)도 진행하고 있어 12단 제품의 안정적인 수율을 확보하는 데 시간을 단축할 수 있을 것으로 기대한다"고 자신감을 내비쳤다.
다음 세대인 HBM4 로드맵도 언급했다. SK하이닉스는 "내년 하반기 12단 제품부터 출하할 것으로 전망된다"며 "16단 제품은 2026년부터 수요가 발생할 것으로 예측돼 이를 대비해 개발할 예정이다"라고 설명했다. 12단 제품에는 어드밴스드 MR-MUF(Mass Reflow-Molded Underfill) 기술을 적용한다. 어드밴스드 MR-MUF는 칩과 칩 사이를 액체 보호재로 채우고 굳히는 기존 MR-MUF에서 한 단계 진화한 기술이다. 기존 공정 대비 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 칩의 휨 현상 제어(Warpage Control)도 최소화한다.
자체 패키징 기술로 제품 개발에 매진하는 동시에 설비 투자를 강화한다. SK하이닉스는 "HBM 제품 수요에 대응하고 중장기 클린룸 확보를 위한 팹 투자 결정으로 올해 당사 투자 규모는 연초 계획보다 증가했다"고 밝혔다. 먼저 청주 M15X를 완공해 내년 하반기 가동한다. 부지 공사가 한창인 용인 반도체 클러스터의 첫 팹도 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 계획이다.
HBM 투자 증가로 인한 공급 과잉 우려는 반박했다. SK하이닉스는 "HBM의 상대적으로 낮은 생산성을 고려하면 투자가 증가하더라도 비트그로스(비트 단위 반도체 생산률) 증가는 제한적"이라면서 "이러한 생산 증가 제약은 HBM 세대가 업그레이드될수록 가중될 것"이라고 분석했다.
낸드플래시에서는 기업용 SSD(eSSD) 수요가 탄탄하다. 2분기 eSSD 매출은 전분기 대비 약 50% 뛰었다. 올해 전년 대비 4배 성장할 것으로 관측된다. SK하이닉스는 업계 유일하게 공급할 수 있는 60TB eSSD를 앞세워 하반기 시장을 선도하고, 내년 초 128TB 제품을 출시해 우위를 사수한다는 전략이다.
한편, SK하이닉스는 2분기 HBM과 eSSD 사업 호조로 호실적을 기록했다. 매출액은 16조4233억원으로 분기 기준 역대 최대였다. 영업이익은 5조4685억원, 순이익은 4조1200억원으로 집계됐다. 영업이익률 또한 전분기보다 10%포인트 상승한 33%를 기록했다.
