[단독] DB하이텍, '위비트 나노 Re램 적용' 130나노 BCD 공정서 시제품 생산 성공

기술 검증 등 거쳐 내년 2분기 양산 목표
지난해 10월 Re램 기술 라이선스 계약 체결
위비트 나노 “DB하이텍 고객과 얼리 어답터 논의”

 

[더구루=정등용 기자] DB하이텍이 위비트 나노(Weebit Nano)의 Re램(저항성메모리) 기술이 적용된 130나노 BCD(바이폴라-CMOS-DMOS) 공정에서 첫 시제품 생산에 성공했다. 기술 검증 등을 거쳐 내년 2분기 중 본격적인 양산에 돌입한다는 목표다.

 

1일 관련 업계에 따르면 위비트 나노는 지난달 30일 자사 Re램 기술이 적용된 DB하이텍의 130나노 BCD 공정에서 대량 양산 준비의 마지막 단계인 첫 테이프아웃(Tape-Out·시제품 양산)에 성공했다고 밝혔다.

 

양사는 기술 검증과 생산 준비 과정 등을 마치고 내년 2분기까지 양산을 시작한다는 계획이다.

 

DB하이텍과 위비트 나노는 지난해 10월 Re램 기술 라이선스 계약을 체결했다. 이에 따라 DB하이텍은 위비트 나노의 Re램 기술을 자사 130나노 BCD 공정에서 사용할 수 있게 됐다. 또한 위비트 나노의 Re램을 전 세계 고객사로부터 내장형 NVM(비휘발성 메모리)으로 제조할 수 있는 권리를 부여받았다.

 

위비트 나노의 Re램은 고온에서도 우수한 유지 능력을 입증한 저전력·저전압·비용 효율적인 NVM이다. 또한 기존 MTP(Multi-time Programmable) 기술보다 높은 밀도와 내구성을 제공한다.

 

위비트 나노는 올해 2월 Re램 모듈의 온도·내구성 테스트를 통해 최대 영상 150도의 온도에서도 안정한 성능 발휘를 확인했다. 특히 최대 10만회까지 데이터를 지우고 저장할 수 있는 성능을 입증했다.

 

이번 첫 시제품 생산과 관련해 조기석 DB하이텍 대표는 “우리는 위비트 나노와 훌륭한 협력 관계를 맺고 있다”면서 “위비트 나노의 Re램은 130나노 BCD 공정을 사용하는 고객들에게 저전력·비용 효율적인 고밀도 NVM을 제공할 것”이라고 말했다.

 

코비 하노크 위비트 나노 최고경영자(CEO)는 “이번 이정표는 우리가 DB하이텍의 BCD 공정에 Re램 인증을 예정대로 진행하고 있다는 것을 보여주는 결과”라며 “우리는 이미 SoC에 Re램을 통합하는 데 관심이 있는 여러 DB하이텍 고객과 얼리 어답터 논의를 진행하고 있다”고 밝혔다.

 

한편, 위비트 나노의 Re램은 △사물인터넷(IoT) 기기 △스마트폰 △로봇 공학 △자율주행차 △5G 통신 △인공지능(AI) 등 다양한 산업 분야에서 도입돼 활용되고 있다. 지난해 4월에는 신제품 개발을 위해 해외 기관 투자자와 기존 투자자들로부터 1200만 주를 판매, 4000만 달러(약 530억 원)의 자금을 조달한 바 있다.










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