[더구루=정예린 기자] 삼성이 지난달 중국에서 특허 승인 건수를 크게 늘리며 올 1분기 누적 2000건을 넘어섰다. 인공지능(AI)과 3차원(3D) 반도체, 전고체 배터리를 중심으로 한 핵심 기술 확보가 이어지며 차세대 사업 경쟁력 강화에 속도가 붙을 전망이다.

3일 중국 국가지적재산권국(CNIPA)에 따르면 CNIPA는 지난달 삼성전자와 삼성디스플레이, 삼성SDI, 삼성전기, 삼성메디슨, 삼성바이오로직스 등이 2019년부터 작년 12월까지 출원한 특허 869건을 승인했다. 이는 전년 동월(726건) 대비 약 19.7%, 2024년(804건) 대비 약 8.1% 증가한 규모다.

계열사별로는 삼성전자가 418건으로 가장 많았다. △삼성디스플레이(231건) △삼성SDI(183건) △삼성전기(35건) △삼성메디슨 1건 △삼성바이오로직스(1건) 등이 뒤를 이었다. 

1분기 누적 승인 건수는 총 2083건이다. 전년 동기 1933건 대비 약 7.8%, 2024년 1분기 1827건 대비 약 14.0% 증가했다. 월별로는 △1월 731건 △2월 483건 △3월 869건으로 지난달 분기 실적을 견인했다.

삼성전자는 AI 확산에 맞춘 메모리 효율화와 고집적 반도체 구조 확보에 무게를 실었다. '대형언어모델의 메모리 사용을 줄이는 방법 및 이를 수행하는 전자장치(특허번호 CN121745186A)'와 'CXL 메모리 컨트롤러, 그 동작 방법 및 CXL 메모리 장치(특허번호 CN121597613A)'는 각각 AI 연산 시 메모리 부담을 낮추고 데이터센터 메모리 확장성을 높이는 기술이다.

메모리 집적도를 높이는 구조 혁신도 이어졌다. '3차원 반도체 장치 및 그 제조 방법(특허번호 CN121751630A)'은 반도체를 수직으로 적층하는 기술로, AI 시대 고용량·고속 처리 요구와 맞닿아 있다.

외부 협력 성과도 확인됐다. 삼성전자는 국내 레이저 가공 장비 업체 이오테크닉스와 '레이저 가공 장치(특허번호 CN121732977A)'를 공동으로 확보했다. 미세 공정에서 가공 정밀도를 높이는 장비 기술로, 반도체와 디스플레이 공정 고도화에 기여할 수 있다. 

삼성전자와 삼성디스플레이가 함께 발광 소재와 소자 구조를 다듬는 특허를 확보한 점도 눈에 띈다. '조성물, 박막 및 전계발광 장치(특허번호 CN121628058A)'와 '전계발광 장치, 전계발광 장치의 제조 방법 및 표시 장치(특허번호 CN121646122A)'는 발광층 재료와 소자 형성 구조를 함께 개선하는 기술이다. 삼성디스플레이가 별도로 확보한 '증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법(특허번호 CN121729034A)'까지 감안하면, 차세대 패널 성능 개선과 양산 공정 정밀도 확보를 동시에 겨냥한 행보로 읽힌다.

삼성SDI는 전고체 배터리 상용화를 위한 전극·소재 기술 축적에 집중했다. '건식 바인더, 이를 포함하는 전극 및 충전식 리튬 배터리와 이를 제조하는 전극 제조 방법(특허번호 CN121699570A)'과 '전고체 배터리용 음극, 이를 포함하는 전고체 배터리 및 전고체 배터리 제조 방법(특허번호 CN121641978A)'은 전극 공정을 단순화하면서도 성능과 안정성을 높이려는 방향을 보여준다. 

삼성전기는 에너지 장치와 광학 부품 양쪽에서 특허를 확보했다. '막전극접합체용 전도성 산화물의 제조 방법 및 막전극접합체(특허번호 CN121693468A)'는 차세대 에너지 장치용 소재 기술이다. '반사 모듈 및 이를 포함하는 카메라 모듈(특허번호 CN121704025A)'은 카메라 모듈 성능 개선과 관련된 기술이다.