[더구루=정예린 기자] DB하이텍이 이스라엘 '위비트나노(Weebit Nano)'의 Re램(저항성 메모리) 기반 차세대 비휘발성 메모리(NVM) 칩 실물을 처음으로 선보인다. 양사는 이번 공개를 계기로 연내 본격적인 양산 체제로 전환, 고신뢰성 전력반도체 시장 공략에 속도를 낼 계획이다.

7일 위비트나노에 따르면 DB하이텍과 위비트나노는 지난 6일(현지시간)부터 사흘간 독일 뉘른베르크에서 열리는 유럽 최대 전력반도체 전시회 'PCIM 2025'에 참가한다. 위비트나노의 Re램을 탑재한 DB하이텍 130나노미터(nm) 바이폴라-CMOS-DMOS(BCD) 공정 기반 시제품 반도체를 활용해 엣지 인공지능(AI) 제스처 인식 데모를 실시한다. 

현재 해당 기술은 DB하이텍 130nm 공정 내에서 자격 인증(qualification) 단계를 진행 중이며, 연내 양산 전환을 목표로 하고 있다. DB하이텍은 향후 해당 메모리를 포함한 설계 키트(PDK)를 고객에게 제공할 예정이며, 고객은 표준 1메가비트(Mb) 모듈을 그대로 사용하거나 필요에 따라 맞춤형 설계를 진행할 수 있다. 

자격 인증 단계는 제품이 대량 생산에 적합한지 평가하는 절차로, 성능 검증과 신뢰성 테스트를 통해 제품의 품질을 확보하는 과정이다. 이 단계를 완료하면 해당 기술은 본격적인 양산 준비가 완료된다. 

DB하이텍은 지난 2023년 위비트나노와 Re램 기술 라이선스를 체결, 130나노 BCD 공정에 Re램을 통합하기 위한 작업을 본격화했다. 작년 테이프아웃(설계를 완료해 생산으로 넘어가는 단계)에 성공하며 Re램 기반 BCD 130나노 공정 칩 상용화 준비에 중요한 이정표를 세웠다. <본보 2024년 8월 1일 참고 [단독] DB하이텍, '위비트 나노 Re램 적용' 130나노 BCD 공정서 시제품 생산 성공>

Re램은 전원이 꺼져도 정보를 유지할 수 있는 비휘발성 메모리로, 플래시 메모리 대비 전력 소비는 낮고 속도는 빠르다. 플래시 메모리 대비 최대 1000배 빠르고 1000배 에너지 효율이 높다는 게 위비트나노의 설명이다. 특히 고온에서도 데이터 유지력이 뛰어나 산업·자동차·IoT 등의 고신뢰성 반도체에 적합하다.

코비 하노크(Coby Hanoch) 위비트나노 최고경영자(CEO)는 "우리는 DB하이텍의 130나노 BCD 공정에서 Re램 IP를 통합해 양산 준비를 차근차근 진행하고 있다"며 "이번 시연은 통합된 기술을 처음으로 공개하며, Re램을 칩 내에 통합한 장점들을 보여줄 것”이라고 밝혔다.

조기석 DB하이텍 대표는 "위비트나노의 Re램은 130나노 BCD 공정에서 비용 효율적이고 고밀도의 비휘발성 메모리를 제공한다"며 "PCIM은 DB하이텍이 성장하는 유럽 시장에서 발자취를 넓히는 중요한 전시회로, 위비트나노와 함께 통합 솔루션을 선보일 수 있어 매우 기쁘다"고 전했다.