[더구루=오소영 기자] 반도체 업계에서 삭각이 첨단 반도체 제조의 핵심 공정이 될 수 있다는 분석이 제기됐다. 미세 공정을 실현하기 위해 반드시 필요한 노광장비를 공급하며 '슈퍼을'로 통했던 네덜란드 'ASML'의 위상이 달라질 전망이다.
28일 미국 정보기술(IT) 매체 'Wccftech' 등 외신에 따르면 익명의 인텔 관계자는 최근 투자 정보 플랫폼 '테거스(Tegus)'에서 고급 반도체 제조를 위해 노광보다 삭각 공정이 중요해진다고 전망했다. 노광은 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 공정인 반면, 삭각은 특정 부분을 제거해 원하는 패턴을 만드는 과정을 뜻한다.
현재 반도체의 성능을 좌우하는 핵심은 노광이다. 7나노미터(㎚·10억분의 1m) 이하의 미세 공정을 구현하려면, ASML의 '극자외선(EUV)' 장비가 필요하다. 하지만 트랜지스터 구조가 바뀌면서 반도체 업계에 변화의 조짐이 보이고 있다.
차세대 트랜지스터인 게이트올어라운드(GAA)는 전류가 흐르는 채널 4면을 게이트가 둘러싸고 있어 전류의 흐름을 보다 세밀하게 제어할 수 있다. CFET(Complementary FET)는 GAA 트랜지스터를 수직으로 쌓아 올리고 면적을 절약하는 기술이다. 두 기술 모두 게이트가 전류가 흐르는 길을 사방으로 감싼다는 공통점이 있어, 게이트 주변에 불필요한 부분을 깎는 삭각 공정이 중요하다는 게 인텔 임원의 설명이다.
반도체 업계에서는 값비싼 노광 장비 채택을 망설이는 분위기가 감지된다. 파운드리 업계 1위인 대만 TSMC는 2028년 양산 예정인 1.4나노 공정(A14)에 ASML의 '하이 뉴메리컬애퍼처 극자외선(High-NA EUV, 이하 하이-NA EUV)' 장비를 쓰지 않기로 했다. 삼성전자와 SK하이닉스도 하이-NA EUV 도입을 보수적으로 살피고 있다.
