[더구루=정예린 기자] 일본 키옥시아가 자사 10세대 3D 기술을 적용한 332단 낸드플래시 양산에 나선다. 계획대로 생산이 이뤄질 경우 단수 기준으로 현재 '업계 최고층'인 SK하이닉스의 321단 낸드를 넘어 키옥시아가 초고단 3D 낸드 경쟁에서 기술 리더십을 한층 강화할 수 있을 것으로 예상된다.

12일 닛케이 아시아 등에 따르면 키옥시아는 자사 3D 낸드 기술 '10세대 BiCS 플래시(BiCS FLASH)'를 적용한 332단 차세대 낸드(BiCS10)를 내년부터 양산할 계획이다. 일본 이와테현 기타카미시에 위치한 신규 생산라인 '팹2(Fab2)'에서 생산될 예정이다.

신제품은 키옥시아가 지난 2월 미국 샌프란시스코에서 열린 국제전기전자공학자협회(IEEE) 고체회로학회(ISSCC)에서 처음 공개한 차세대 3D 낸드다. 키옥시아와 샌디스크가 공동 개발한 이 제품은 메모리 셀과 주변 회로를 각각 최적 공정으로 제조한 뒤 접합하는 CBA(CMOS Bonded to Array) 구조를 기반으로 해 고적층 구현에 따른 성능 저하와 전력 소모를 최소화한 것이 특징이다.

토글(Toggle) DDR 6.0 인터페이스를 적용해 최대 초당 4.8Gb의 데이터 전송 속도를 구현한다. 이는 현재 양산 중인 8세대 낸드 대비 인터페이스 속도를 약 30% 이상 끌어올린 수준이다. 데이터센터와 AI 서버용 고성능 솔리드스테이트드라이브(SSD)에 요구되는 대용량·고속 처리 수요를 겨냥한 설계다.

적층 구조 역시 대폭 확대됐다. 332단 적층을 적용해 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 59% 개선, 동일 면적에서 더 많은 데이터를 저장할 수 있도록 했다. 키옥시아는 평면 셀 구조 최적화와 고적층 기술을 결합해 성능과 전력 효율, 집적도를 균형 있게 끌어올렸다는 설명이다.

키옥시아가 10세대 332단 낸드를 내년 양산할 경우 단수 기준 업계 최고층 타이틀은 키옥시아로 넘어가게 된다. 현재 3D 낸드 적층 경쟁에서는 SK하이닉스가 지난해 11월 321단 낸드 양산에 돌입하며 최고층 기록을 보유하고 있다. 삼성전자는 286단 9세대 V낸드를, 마이크론은 276단 제품을 각각 양산 중이다.

단수 경쟁은 단순한 수치 경쟁을 넘어 기술 집약도와 생산 역량을 가늠하는 상징적 지표로 여겨진다. 적층 수가 높을수록 동일 면적당 저장 용량을 늘릴 수 있어 원가 경쟁력과 제품 차별화 측면에서 유리하지만 고난도 공정 제어 능력 역시 함께 요구된다.

경쟁사들도 초고단 낸드 개발에 속도를 내고 있다. 삼성전자는 지난해 9월 286단 9세대 V낸드 양산을 시작한 데 이어 400단급 10세대 V낸드 생산을 목표로 설비 투자를 진행 중이다. SK하이닉스는 하이브리드 본딩 공정을 적용한 300단대 중후반의 10세대 낸드를 개발하고 있으며, 내후년 양산을 목표로 하고 있다.

10세대 낸드가 생산될 기타카미 팹2는 키옥시아와 샌디스크가 공동 투자한 합작 공장으로 올해 9월부터 본격 가동에 돌입했다. 현재 팹2에서는 8세대 218단 3D 낸드를 중심으로 생산이 이뤄지고 있다. 차세대 고적층 제품 생산을 염두에 둔 공정 유연성도 확보하고 있다. <본보 2025년 10월 1일 참고 키옥시아·샌디스크 합작 '기타카미 팹2' 본격 가동…차세대 3D 플래시 메모리 생산>