[더구루=정예린 기자] SK하이닉스와 키옥시아를 겨냥한 미국 내 메모리 반도체 특허 공세가 거세지고 있다. 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 3D 적층 기술 분쟁이 본격화되며 인공지능(AI) 반도체 등 차세대 제품군의 수입·판매에 제약이 발생할 수 있다는 우려가 나온다. 

30일 미국 국제무역위원회(ITC)에 따르면 ITC는 지난 26일(현지시간) 미국 '모놀리식 3D(MonolithIC 3D)'가 지난달 제기한 미 관세법(무역법) 337조 위반 혐의 사건에 대한 조사를 개시하기로 의결했다. 조사 대상에는 SK하이닉스 한국 본사와 미국 법인 2곳, 키옥시아 홀딩스와 그룹 내 7개 법인이 이름을 올렸다. 

ITC는 조사 범위를 3D 낸드플래시와 HBM을 포함한 D램으로 명시했다. 3D 적층 구조가 적용된 메모리 전반이 포함되며 메모리 단품뿐 아니라 AI 서버용 핵심 메모리까지 조사 영향권에 들어갔다. 

모놀리식 3D는 SK하이닉스와 키옥시아가 자사가 보유한 특허를 침해한 메모리 제품을 미국에 수입·판매했다고 주장했다. ITC는 SK하이닉스와 키옥시아가 반도체를 수입·판매하는 과정에서 특허 침해, 불공정 무역행위 등 위법성을 확인할 계획이다. 

쟁점이 된 특허는 총 8건이다. △3D 반도체 장치 및 제조 방법(특허번호 12,035,531)△적층형 반도체 소자 구조(특허번호 12,125,737) △고밀도 3D 집적 회로 기술(특허번호 12,243,765) △수직 적층형 메모리 소자(특허번호 11,342,214) △3D IC를 위한 상호 연결 구조(특허번호 11,476,181) △다층 반도체 장치 형성 방법(특허번호 11,594,473) △3D 집적을 위한 정렬 및 접합 기술(특허번호 11,862,503) △고성능 3D 메모리 아키텍처(특허번호 12,225,737) 등이다.

이들 특허는 공통적으로 모놀리식 3D 적층 구조를 기반으로 한 메모리 및 반도체 설계 기술을 다룬다. 단일 칩 내에서 회로를 수직으로 적층하는 구조와 층간 연결, 메모리와 로직의 통합 방식 등 3D 낸드와 HBM 구현에 직결되는 핵심 기술군으로 평가된다.

모놀리식 3D는 SK하이닉스와 키옥시아 제품에 대한 제한적 수입 배제 명령과 정지·중지 명령을 요구하고 있다. 최근 SK하이닉스가 글로벌 주도하고 있는 HBM이 조사 대상에 포함된 만큼, ITC 판정 결과에 따라 향후 SK하이닉스의 미국 내 HBM 공급 및 시장 확대 전략에도 영향이 불가피할 것으로 관측된다. 

특히 이번 조사는 SK하이닉스가 약 4조원을 투자하며 전략적 파트너십을 맺고 있는 키옥시아와 함께 공동 피고로 묶였다는 점에서 주목된다. 업계에서는 모놀리식 3D가 양사의 긴밀한 투자 관계와 기술적 공통 분모를 인지, 미국 시장 내 영향력이 큰 두 기업을 동시에 압박해 라이선스 협상력을 극대화하려는 전략으로 보고 있다.

모놀리식 3D는 2009년 'NuPGA'라는 이름으로 설립·법인화된 뒤 2011년 현재 사명으로 바뀐 미국 반도체 IP 기업이다. 텍사스주에 본사를 두고 캘리포니아주 실리콘밸리·루마니아·이스라엘에 운영 거점을 두고 있다. 모놀리식 3D 칩 구조 중심 적층 반도체 기술 특허권을 바탕으로 라이선싱 사업을 전개하고 있다. 

ITC는 "이번 사건을 담당 행정판사(ALJ)에게 배당하고 해당 판사가 심리를 진행한 뒤 예비판정을 내릴 것"이라며 "ITC는 조사 개시 후 45일 이내에 완료를 목표로 진행해 최종 결정을 내릴 것"이라고 밝혔다.